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STD1NB60-1

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 IPAK
數(shù)量:
 6696  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 1A
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STD1NB60-1-IPAK圖片

STD1NB60-1 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:15 ns
功率耗散:45 W
最小工作溫度:- 65 C
下降時(shí)間:32 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):8.5 Ohms
漏極連續(xù)電流:1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics

以上是STD1NB60-1的詳細(xì)信息,包括STD1NB60-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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