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STD120N4F6

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數量:
 7695  
說明:
 MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
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STD120N4F6-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

STD120N4F6 PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:110 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:65 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4 mOhms
漏極連續電流:80 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STD120N4F6的詳細信息,包括STD120N4F6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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