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STB30NM60ND

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 6354  
說明:
 MOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
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STB30NM60ND-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

STB30NM60ND PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:110 ns
上升時間:50 ns
功率耗散:190 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:75 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.13 Ohms
漏極連續電流:25 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB30NM60ND的詳細信息,包括STB30NM60ND廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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