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STB21NM60ND

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 6356
說明：: MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II

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STB21NM60ND-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB21NM60ND PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：70 ns
上升時間：16 ns
功率耗散：140 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：48 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.22 Ohms
漏極連續電流：17 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB21NM60ND的詳細信息，包括STB21NM60ND廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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