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SSW4N60BTM

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263
數量:
 8424  
說明:
 MOSFET N-Ch/600V/4a/2.5Ohm
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SSW4N60BTM-TO-263圖片

SSW4N60BTM PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:70 ns
工廠包裝數量:750
上升時間:55 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :4.7 S
下降時間:55 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.5 Ohms
漏極連續電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SSW4N60BTM的詳細信息,包括SSW4N60BTM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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