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SSM6N55NU,LF

廠家:
  Toshiba
封裝:
 6-μDFN(2x2)
數量:
 9781  
說明:
 MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
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SSM6N55NU,LF-6-μDFN(2x2)圖片

SSM6N55NU,LF PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:2.5 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:UDFN-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):64 mOhms
漏極連續電流:4 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是SSM6N55NU,LF的詳細信息,包括SSM6N55NU,LF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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