中文參數如下:
工廠包裝數量:4000
功率耗散:500 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.136 Ohms at 2.5 V (Typ)
漏極連續電流:1.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是SSM6J53FETE85LF的詳細信息,包括SSM6J53FETE85LF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!