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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:665 ns
商標(biāo)名:TrenchFET
上升時(shí)間:18 ns
功率耗散:375 W
柵極電荷 Qg:413 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :219 S
下降時(shí)間:189 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-7L
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0011 Ohms
漏極連續(xù)電流:200 A
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SQM200N04-1M1L-GE3的詳細(xì)信息,包括SQM200N04-1M1L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!