色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SQD15N06-42L-GE3

SQD15N06-42L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 2124
說明：: MOSFET 60V 15A 37W 42mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SQD15N06-42L-GE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：15 ns
工廠包裝數(shù)量：2000
上升時間：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.042 Ohms
漏極連續(xù)電流：15 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD15N06-42L-GE3的詳細信息，包括SQD15N06-42L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1