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中文參數如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.3 歐姆 @ 500mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：320mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1.4nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：24pF @ 30V
功率 - 最大：500mW
安裝類型：表面貼裝

以上是SQ7002K-T1-GE3的詳細信息，包括SQ7002K-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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