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SQ2361EES-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數量：: 3861
說明：: MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V

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SQ2361EES-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SQ2361EES-GE3
上升時間：8 ns
功率耗散：2 W
柵極電荷 Qg：11.2 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.115 Ohms
漏極連續電流：- 2.5 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ2361EES-T1-GE3的詳細信息，包括SQ2361EES-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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