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SPD30N03S2L10T

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO252-3-11
數量:
 1287  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
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SPD30N03S2L10T-PG-TO252-3-11圖片

SPD30N03S2L10T PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs41.8nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C30A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1550pF @ 25V
功率 - 最大100W
安裝類型表面貼裝

以上是SPD30N03S2L10T的詳細信息,包括SPD30N03S2L10T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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