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SPD30N03S2L10T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-11
數(shù)量：: 1287
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

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SPD30N03S2L10T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs41.8nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1550pF @ 25V
功率 - 最大100W
安裝類(lèi)型表面貼裝

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