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SPD07N60C3T

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO252-3-11
數(shù)量:
 3492  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
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SPD07N60C3T-PG-TO252-3-11圖片

SPD07N60C3T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫歐 @ 4.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:7.3A
Id 時的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 350µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:27nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :790pF @ 25V
功率 - 最大:83W
安裝類型:表面貼裝

以上是SPD07N60C3T的詳細(xì)信息,包括SPD07N60C3T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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