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首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SPD07N60C3T

SPD07N60C3T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-11
數量：: 3492
說明：: MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK

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SPD07N60C3T-PG-TO252-3-11圖片

SPD07N60C3T PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫歐 @ 4.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：650V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：7.3A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：3.9V @ 350µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：790pF @ 25V
功率 - 最大：83W
安裝類型：表面貼裝

以上是SPD07N60C3T的詳細信息，包括SPD07N60C3T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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