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SPB77N06S2-12

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 1242  
說明:
 MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
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SPB77N06S2-12 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 38A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)55V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 93µA
閘電荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 2350pF @ 25V
功率 - 最大158W
安裝類型表面貼裝

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