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SPB77N06S2-12

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 1242
說明：: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

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SPB77N06S2-12-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

SPB77N06S2-12 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 38A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)55V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 93µA
閘電荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C80A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2350pF @ 25V
功率 - 最大158W
安裝類型表面貼裝

以上是SPB77N06S2-12的詳細信息，包括SPB77N06S2-12廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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