色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SISS05DN-T1-GE3

SISS05DN-T1-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8S
數(shù)量：: 3042
說明：: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

一、本商品被瀏覽0次.

SISS05DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：5W（Ta），65.7W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4930 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：+16V，-20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：115 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.5 毫歐 @ 10A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：29.4A（Ta），108A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：TrenchFET? Gen IV
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SISS05DN-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SISS05DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ