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SIR846DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 3195  
說(shuō)明:
 MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V
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SIR846DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR846DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SIR846DP-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:36 ns
上升時(shí)間:18 ns
功率耗散:104 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:47.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :56 S
下降時(shí)間:20 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):7.8 mOhms
漏極連續(xù)電流:60 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR846DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIR846DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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