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SIR606BDP-T1-RE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 4184
說明：: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

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SIR606BDP-T1-RE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：PowerPAK? SO-8
封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：5W（Ta），62.5W（Tc）
頻率 - 開關(guān)：-
電流 - 輸出：1470 pF @ 50 V
電壓 - 輸出（最大值）：±20V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：30 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：4V @ 250μA
電壓 - 輸入（最小值）：17.4 毫歐 @ 10A，10V
輸出數(shù)：7.5V，10V
輸出類型：10.9A（Ta），38.7A（Tc）
拓?fù)洌?00 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：TrenchFET? Gen IV
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIR606BDP-T1-RE3的詳細信息，包括SIR606BDP-T1-RE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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