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SIJ470DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數量:
 5787  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
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SIJ470DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIJ470DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):5W(Ta),56.8W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2050 pF @ 50 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):56 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):9.1 毫歐 @ 20A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):7.5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):58.8A(Tc)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:ThunderFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay Siliconix

以上是SIJ470DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIJ470DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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