色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247AD
數量：: 5337
說明：: MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

一、本商品被瀏覽0次.

SIHW33N60E-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：150 ns
商標名：E-Series
上升時間：90 ns
功率耗散：278 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：150 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降時間：80 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-247AD
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：99 mOhms at 10 V
漏極連續電流：33 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHW33N60E-GE3的詳細信息，包括SIHW33N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：