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中文參數(shù)如下: 零件號(hào)別名:SIHP8N50D-GE3 功率耗散:156 W 包裝形式:Bulk 封裝形式:TO-220AB-3 安裝風(fēng)格:Through Hole 配置:Single 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):850 mOhms at 10 V 漏極連續(xù)電流:8.7 A 閘/源擊穿電壓:5 V 汲極/源極擊穿電壓:500 V 晶體管極性:N-Channel RoHS:是 產(chǎn)品種類:MOSFET 制造商:Vishay