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SIHP8N50D-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 5238  
說(shuō)明:
 MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
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SIHP8N50D-E3-TO-220-3圖片

SIHP8N50D-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SIHP8N50D-GE3
功率耗散:156 W
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):850 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:8.7 A
閘/源擊穿電壓:5 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP8N50D-E3的詳細(xì)信息,包括SIHP8N50D-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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