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SIHD7N60E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 4786
說明：: MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

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SIHD7N60E-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SIHD7N60E-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：48 ns
上升時間：26 ns
功率耗散：78 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：40 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1.9 S
下降時間：28 ns
封裝形式：DPAK (TO-252)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：600 mOhms at 10 V
漏極連續電流：7 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHD7N60E-GE3的詳細信息，包括SIHD7N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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