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SIF912EDZ-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK?（2x5）
數(shù)量：: 2880
說明：: MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK

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SIF912EDZ-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：19 毫歐 @ 7.4A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：7.4A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝

以上是SIF912EDZ-T1-E3的詳細信息，包括SIF912EDZ-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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