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SI8429DB-T1-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-XFBGA，CSPBGA
數量：: 32739
說明：: MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V

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SI8429DB-T1-E1 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI8429DB-E1
典型關閉延遲時間：260 ns
商標名：TrenchFET/MICRO FOOT
工廠包裝數量：3000
上升時間：25 ns
功率耗散：2.77 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：0.7 S
下降時間：155 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.043 Ohms
漏極連續電流：- 7.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8429DB-T1-E1的詳細信息，包括SI8429DB-T1-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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