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SI7949DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8 雙
數(shù)量:
 8838  
說明:
 MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V
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SI7949DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8 雙圖片

SI7949DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI7949DP-GE3
工廠包裝數(shù)量:3000
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):64 mOhms
漏極連續(xù)電流:3.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7949DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI7949DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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