色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

廠(chǎng)家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8S
數(shù)量：: 25640
說(shuō)明：: MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

一、本商品被瀏覽0次.

SI7655DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI7655DN-GE3
功率耗散：57 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8S
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.6 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：- 40 A
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7655DN-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI7655DN-T1-GE3廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：