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SI7403DN-T1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK 1212-8
數量：
 5895  
說明：
 MOSFET 20V 4.5A 3.5W
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SI7403DN-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：52 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：17 ns
功率耗散：1500 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：100 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：2.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI7403DN-T1的詳細信息，包括SI7403DN-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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