SI6562DQ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-TSSOP
數(shù)量：: 5796
說明：: MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V

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SI6562DQ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI6562DQ-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：50 ns at N Channel, 57 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：40 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：40 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：30 mOhms, 50 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.5 A, 3.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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