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SI6542DQ-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSSOP-8
數量：: 8766
說明：: MOSFET 20V 2.5/1.9A

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SI6542DQ-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：16 nS, 17 nS
工廠包裝數量：3000
上升時間：11 nS, 12 nS
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7 nC, 7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5 S, 3 S
下降時間：6 nS, 6 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.09 Ohms at 10 V, 0.17 Ohms at - 10 V
漏極連續電流：+/- 2.5 A, +/- 1.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI6542DQ-T1的詳細信息，包括SI6542DQ-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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