色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 電源 > 電源管理 IC > 開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 > SI6467BDQ-T1-GE3

SI6467BDQ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
數(shù)量：: 6471
說明：: MOSFET 12V 8.0A 1.5W 12.5mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SI6467BDQ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI6467BDQ-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：220 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：85 ns
功率耗散：1.05 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：85 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6467BDQ-T1-GE3的詳細信息，包括SI6467BDQ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開關(guān) PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數(shù)校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：