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SI5980DU-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? ChipFet 雙
數量：: 6318
說明：: MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V

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SI5980DU-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI5980DU-GE3
功率耗散：7.8 W
包裝形式：Reel
封裝形式：ChipFET
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.567 Ohms at 10 V
漏極連續電流：2.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5980DU-T1-GE3的詳細信息，包括SI5980DU-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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