色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<center id="cws84"></center>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 4221
說明：: MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SI4946BEY-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI4946BEY-GE3
典型關閉延遲時間：20 ns, 25 ns
工廠包裝數量：2500
功率耗散：3.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.2 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：24 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：41 mOhms
漏極連續電流：6.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4946BEY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4946BEY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：