色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 1422
說明：: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8

一、本商品被瀏覽0次.

SI4936CDY-T1-E3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫歐 @ 5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：5.8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：325pF @ 15V
功率 - 最大：2.3W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4936CDY-T1-E3的詳細信息，包括SI4936CDY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：