
點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
典型關閉延遲時間:75 ns
工廠包裝數(shù)量:100
上升時間:9 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:42 ns
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):28 mOhms
漏極連續(xù)電流:7.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI4927DY的詳細信息,包括SI4927DY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!