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SI4884BDY-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數量:
 963  
說明:
 MOSFET 30V 12A 2.95W
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SI4884BDY-T1-E3-8-SOIC圖片

SI4884BDY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4884BDY-E3
典型關閉延遲時間:18 ns, 22 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:160 ns, 11 ns
功率耗散:4.45 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):9 mOhms
漏極連續電流:16.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4884BDY-T1-E3的詳細信息,包括SI4884BDY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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