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SI4829DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 3771
說(shuō)明：: MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC

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SI4829DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：二極管（隔離式）
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：215 毫歐 @ 2.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：2A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：8nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：210pF @ 10V
功率 - 最大：3.1W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4829DY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI4829DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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