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SI4823DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 3744
說明：: MOSFET 20V 4.1A P-CH MOSFET w/Shottky

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SI4823DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4823DY-GE3
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：6 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：108 mOhms
漏極連續電流：3.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4823DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4823DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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