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SI4816DY-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SO-8
數(shù)量：
 5202  
說明：
 MOSFET 30V 6.3/10A
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SI4816DY-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：26 ns at Channel 1, 44 ns at Channel 2
上升時間：5 ns
功率耗散：1 W, 1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：5 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：22 mOhms, 13 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.3 A, 7.7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4816DY-E3的詳細信息，包括SI4816DY-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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