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SI4564DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 2601
說明：: MOSFET 40V 10A/9.2A N&P-CH MOSFET

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SI4564DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4564DY-GE3
功率耗散：3.1 W, 3.2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：20.5 nC, 41.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：25 S, 27 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0145 Ohms, 0.0175 Ohms
漏極連續電流：10 A, - 9.2 A
汲極/源極擊穿電壓：+/- 40 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4564DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4564DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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