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中文參數(shù)如下:
零件號(hào)別名:SI4501BDY-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns, 35 ns
上升時(shí)間:11 ns, 12 ns
功率耗散:4.5 W
柵極電荷 Qg:16.5 nC, 27.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :29 S, 24 S
下降時(shí)間:8 ns, 9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0135 Ohms, 0.021 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 A, - 8 A
閘/源擊穿電壓:20 V, 8 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V, - 8 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI4501BDY-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI4501BDY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!