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SI4497DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 2484
說明：: MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III

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SI4497DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4497DY-GE3
典型關閉延遲時間：115 nS
上升時間：13 nS
功率耗散：7.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：90 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：75 S
下降時間：25 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 mOhms at 10 V
漏極連續電流：- 36 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4497DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4497DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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