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SI4487DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 2439
說明：: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

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SI4487DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20.5 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：11.6A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：36nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1075pF @ 15V
功率 - 最大：5W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4487DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4487DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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