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SI4386DY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 5576
說(shuō)明：: MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V

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SI4386DY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI4386DY-E3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：9 ns
功率耗散：1.47 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：7 mOhms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4386DY-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI4386DY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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