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SI4200DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 5850  
說(shuō)明:
 MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts
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SI4200DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4200DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SI4200DY-GE3
功率耗散:2.8 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.02 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:8 A
閘/源擊穿電壓:16 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4200DY-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI4200DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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