色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI3464DV-T1-GE3

SI3464DV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 788
說(shuō)明：: MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP

一、本商品被瀏覽0次.

SI3464DV-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫歐 @ 7.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：8A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1065pF @ 10V
功率 - 最大：3.6W
安裝類(lèi)型：表面貼裝

以上是SI3464DV-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI3464DV-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：