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SI3459BDV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
數(shù)量：: 87322
說明：: MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V

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SI3459BDV-T1-GE3-SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6圖片

SI3459BDV-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3459BDV-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：16 ns, 18 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：4.4 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：4 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.216 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3459BDV-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI3459BDV-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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