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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:62 us
商標(biāo)名:TrenchFET
上升時(shí)間:32 us
功率耗散:1.7 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:13.8 nC
下降時(shí)間:21 us
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23 (TO-236)
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):32 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:- 5.9 A
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI2365EDS-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI2365EDS-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!