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SI2301BDS-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-236-3
數(shù)量:
 5364  
說(shuō)明:
 MOSFET 20V 2.4A 0.7W
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SI2301BDS-T1-TO-236-3圖片

SI2301BDS-T1 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:40 ns
功率耗散:700 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:40 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-236-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.1 Ohms
漏極連續(xù)電流:2.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2301BDS-T1的詳細(xì)信息,包括SI2301BDS-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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