中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:350 nS, 840 nS
商標(biāo)名:TrenchFET
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:85 nS, 480 nS
功率耗散:570 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:0.65 nC, 1.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :2.6 S, 1.5 S
下降時(shí)間:210 nS, 850 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.28 Ohms at 4.5 V, 0.49 Ohms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流:1.28 A, - 1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI1563EDH-E3的詳細(xì)信息,包括SI1563EDH-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!