中文參數如下:
工廠包裝數量:25
安裝風格:Through Hole
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-264
功率耗散:180 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 500 nA
在25 C的連續集電極電流:60 A
集電極—射極飽和電壓:1.4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:900 V
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是SGL60N90DG3M1TU的詳細信息,包括SGL60N90DG3M1TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!