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SEG10FGHM3/I

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 DO-219AB(SMF)
數(shù)量:
 6633  
說(shuō)明:
 DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
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SEG10FGHM3/I-DO-219AB(SMF)圖片

SEG10FGHM3/I PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:DO-219AB(SMF)
封裝/外殼:DO-219AB
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容:7.3pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:5 μA @ 400 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):1.2 μs
速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.1 V @ 700 mA
電流 - 平均整流 (Io):1A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是SEG10FGHM3/I的詳細(xì)信息,包括SEG10FGHM3/I廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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